NTHD5902T1
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onsemi NTHD5902T1
| Artikelnummer: | NTHD5902T1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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- Spezifikationen
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- Versandinformationen
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onsemi NTHD5902T1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NTHD5902T1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse ChipFET™ Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 2.9A, 10V Leistung - max 1.1W Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 10V FET-Merkmal Logic Level Gate Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.9A Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Grundproduktnummer NTHD59 NTHD5902T1 Einzelheiten PDF [English] NTHD5902T1 PDF - EN.pdf -
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